參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S20010GNR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 11/24頁(yè)
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代理商： MRF6S20010GNR1
MRF6S20010NR1 MRF6S20010GNR1
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
N-CDMA TYPICAL CHARACTERISTICS
— 1930-1990 MHz
Figure 18. MRF6S20010NR1(GNR1) Test Circuit Component Layout — 1930-1990 MHz
MRF6S20010N
Rev 0
C
C11
V
DD
V
GS
R1
R2
C1
C7
R3
C2
C3
C4
C5
C6
C9
C10
C8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
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參數(shù)描述
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MRF6S21050LR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21050LR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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