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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF6S19140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè) |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 399K |
| 代理商： | MRF6S19140HR3 |
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
Figure 2. MRF6S19140HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
C13
R1
C7
C1
C3
R5
B1
R3
R2
C8
C14
R4
B2
R6
C4
C5
C9 C11
C15
C2
C6
C10 C12
6S19140
C
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These
changes will have no impact on form, fit or function of the current product.
Motorola, Inc.
2002 DS1464
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| MRF6S19140HS | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
| MRF6S19140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S19140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
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