參數(shù)資料
型號： MRF6S19140HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 10/12頁
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代理商： MRF6S19140HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19140HR3 MRF6S19140HSR3
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S20010GNR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21050LSR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S21060NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S19140HR3_07 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V 29W LDMOS NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19140HS 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
MRF6S19140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S19140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 28V29W LDMOS NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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