參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S19100HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 398K
代理商： MRF6S19100HR3
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HSR3
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
1930
1960
1990
2.26 - j2.31
2.14 - j2.00
2.22 - j2.13
1.57 - j3.50
1.83 - j3.29
2.34 - j3.71
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 900 mA, P
out
= 22 W Avg.
Z
o
= 5
Z
load
Z
source
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
f = 1930 MHz
f = 1990 MHz
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