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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S18140HR3 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| 中文描述： | 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 417K |
| 代理商： | MRF6S18140HR3 |
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
12
1
0
66
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1200 mA
f = 1840 MHz
T
C
= 30 C
25 C
10
18
17
16
15
14
55
44
33
22
11
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
13
400
85 C
30 C
25 C
85 C
Figure 12. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
G
p
,
13
17
0
260
15
14
100
200
16
V
DD
= 24
V
28 V
32 V
I
DQ
= 1200 mA
f = 1840
MHz
230
10
10
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
This above graph displays calculated MTTF in hours x ampere
2
drain current. Life tests at elevated temperatures have correlated to
better than
±
10% of the theoretical prediction for metal failure. Divide
MTTF factor by I
D2
for MTTF in a particular application.
10
9
10
8
10
6
M
2
)
90
110
130
150
170
190
Figure 13. MTTF Factor versus Junction Temperature
10
7
210
250
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6S19060NBR1 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19100HR3 | RF Power Field Effect Transistors |
| MRF6S19140HR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S19140HSR3 | N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs |
| MRF6S20010GNR1 | RF Power Field Effect Transistors |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MRF6S18140HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S18140HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF6S1900HSR3 | 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述: |
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