參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18140HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 417K
代理商： MRF6S18140HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18140HR3 MRF6S18140HSR3
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 465B-03
ISSUE D
NI-880
MRF6S18140H
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. DELETED
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
M
MIN
1.335
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
1.100 BSC
0.057
0.170
0.872
MAX
1.345
0.545
0.200
0.505
0.045
0.006
MIN
33.91
13.6
3.73
12.57
0.89
0.08
27.94 BSC
1.45
4.32
22.15
MAX
34.16
13.8
5.08
12.83
1.14
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.067
0.210
0.888
1.70
5.33
22.55
N
Q
R
S
0.871
.118
0.515
0.515
0.007 REF
0.010 REF
0.015 REF
0.889
.138
0.525
0.525
19.30
3.00
13.10
13.10
0.178 REF
0.254 REF
0.381 REF
22.60
3.51
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
3
2
D
T
G
K
C
E
H
F
Q
2X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
B
B
(FLANGE)
SEATING
PLANE
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
A
A
(FLANGE)
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
S
M
A
M
aaa
B
M
T
(INSULATOR)
R
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
aaa
bbb
ccc
CASE 465C-02
ISSUE D
NI-880S
MRF6S18140HS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
DIM
A
B
C
D
E
F
H
K
M
MIN
0.905
0.535
0.147
0.495
0.035
0.003
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0.170
0.872
MAX
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0.505
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0.067
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MIN
22.99
13.60
3.73
12.57
0.89
0.08
1.45
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22.15
MAX
23.24
13.80
5.08
12.83
1.14
0.15
1.70
5.33
22.55
MILLIMETERS
INCHES
N
R
S
0.871
0.515
0.515
0.007 REF
0.889
0.525
0.525
19.30
13.10
13.10
0.178 REF
22.60
13.30
13.30
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. GATE
3. SOURCE
1
SEATING
PLANE
2
D
K
C
E
H
F
M
A
M
bbb
B
M
T
B
B
(FLANGE)
M
A
M
ccc
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
N
(LID)
T
A
(FLANGE)
T
M
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
S
(INSULATOR)
T
M
A
M
aaa
B
M
T
R
(LID)
bbb
ccc
0.010 REF
0.015 REF
0.254 REF
0.381 REF
aaa
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
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MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S18140HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18140HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1.8GHZ 28V 29W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S1900HSR3 制造商:Freescale Semiconductor 功能描述:
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