參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 6/20頁
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代理商： MRF6S18100NBR1
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
—
1930-1990 MHz
G
p
,
I
f, FREQUENCY (MHz)
13
1900
20
G
ps
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 900 mA
17
60
50
40
30
2020
IRL
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 100 Watts
30
0
10
20
40
η
D
,
16
15
14
η
D
1920
1940
1960
1980
2000
G
p
,
I
f, FREQUENCY (MHz)
13
1900
20
G
ps
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 900 mA
17
60
50
40
30
2020
IRL
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 40 Watts
30
0
10
20
40
η
D
,
16
15
14
η
D
1920
1940
1960
1980
2000
Figure 5. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
V
DD
= 28 Vdc
f = 1960 MHz
1125 mA
I
DQ
= 1350 mA
10
11
1
16
14
13
12
100
G
p
,
15
900 mA
665 mA
450 mA
40
2
0
16
12
10
6
4
20
160
60
80
Figure 6. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 12 V
28
V
I
DQ
= 900 mA
f = 1960 MHz
G
p
,
24
V
20
V
16
V
32
V
14
8
100
120
140
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S18100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1990MHZ 28V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S18100NR1_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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MRF6S18140HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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