參數(shù)資料
型號： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 13/20頁
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代理商： MRF6S18100NBR1
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS — 1805-1880 MHZ
45
60
65
70
75
1780
85
Figure 22. Spectral Regrowth at 400 kHz and
600 kHz versus Frequency
S
1800
1820
1840
1860
55
1880
1900
1920
75
45
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 23. Spectral Regrowth at 400 kHz
versus Output Power
50
55
60
65
70
S
20
40
60
80
T
C
= 25 C
85
60
0
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 24. Spectral Regrowth at 600 kHz
versus Output Power
70
75
80
20
S
40
60
80
65
f, FREQUENCY (MHz)
50
80
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 1960 MHz
P
out
= 60 W Avg.
42 W Avg.
25 W Avg.
60 W Avg.
25 W Avg.
42 W Avg.
SR @ 400 kHz
SR @ 600 kHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 700 mA
f = 1840 MHz, EDGE Modulation
T
C
= 25 C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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