參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S18100NBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 12/20頁
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代理商： MRF6S18100NBR1
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S18100NR1 MRF6S18100NBR1
TYPICAL CHARACTERISTICS
—
1805-1880 MHz
G
p
,
I
f, FREQUENCY (MHz)
12
1800
20
G
ps
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 900 mA
17
60
50
40
30
1880
IRL
Figure 18. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 100 Watts
30
0
10
20
40
η
D
,
16
15
14
η
D
1810
1820
1830
1840
1850
13
1860
1870
1800
1880
1810
1820
1830
1840
1850
1860
1870
G
p
,
I
f, FREQUENCY (MHz)
13
20
G
ps
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 900 mA
16
50
40
30
IRL
Figure 19. Power Gain, Input Return Loss and Drain
Efficiency versus Frequency @ P
out
= 40 Watts
30
10
20
40
η
D
,
15
14
η
D
Figure 20. EVM versus Frequency
f, FREQUENCY (MHz)
P
out
= 60 W Avg.
42 W Avg.
25 W Avg.
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
E
1900
1
6
3
1880
1860
1840
1800
4
2
5
1820
Figure 21. EVM and Drain Efficiency versus
Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
100
4
10
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 700 mA
f = 1840 MHz
EDGE Modulation
8
6
0
10
1
2
20
50
40
30
0
10
η
D
,
E
T
C
= 25 C
η
D
EVM
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19140HSR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
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參數(shù)描述
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