參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P9220HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
中文描述： 880兆赫，47糯的AVG。，28 V的單個(gè)N - CDMA的橫向N溝道功率MOSFET射頻
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 437K
代理商： MRF6P9220HR3
MRF6P9220HR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
G
p
,
I
A
17
11
15
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 47 Watts Avg.
900
890
880
870
860
21
20.4
70
31
28
55
60
65
η
D
,
E
η
D
19.2
18.9
18.3
18
20.7
20.1
19.8
29
27
45
9
13
18.6
19.5
30
50
7
ALT1
G
p
,
I
A
17
11
15
910
850
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance
@ P
out
= 94 Watts Avg.
900
890
880
870
860
20
19.6
60
42
39
45
50
55
η
D
,
E
η
D
18.8
18.6
18.2
18
19.8
19.4
19.2
40
38
35
9
13
18.4
19
41
40
7
ALT1
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
17
20.5
3
I
DQ
= 2400 mA
2000 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
20
19
100
500
G
p
,
17.5
1600 mA
19.5
18.5
18
10
1200 mA
800 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 879.95 MHz, f2 = 880.05 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
20
30
40
50
60
10
I
I
10
I
DQ
= 800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 879.95 MHz, f2 = 880.05 MHz
TwoTone Measurements, 100 kHz Tone Spacing
500
5
2400 mA
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 47 W (Avg.)
I
DQ
= 1600 mA, NCDMA IS95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 94 W (Avg.)
I
DQ
= 1600 mA, NCDMA IS95
(Pilot, Sync, Paging, Traffic Codes
8 Through 13)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18060NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*