參數(shù)資料
型號： MRF6P9220HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
中文描述： 880兆赫，47糯的AVG。，28 V的單個N - CDMA的橫向N溝道功率MOSFET射頻
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大?。?/td> 437K
代理商： MRF6P9220HR3
MRF6P9220HR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375G-04
ISSUE
G
NI-860C3
1
2
3
4
5
D
Q
bbb
G
L
K
2X
H
E
F
C
SEATING
PLANE
NOTES:
1. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
2. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
3. DIMENSION H TO BE MEASURED 0.030 (0.762)
AWAY FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION
OF 1.140 (28.96) BASED ON 3M SCREW.
4X
B
A
T
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
J
MIN
1.335
0.380
0.180
0.325
0.060
0.004
1.100 BSC
MAX
1.345
0.390
0.224
0.335
0.070
0.006
MIN
33.91
9.65
4.57
8.26
1.52
0.10
27.94 BSC
MAX
34.16
9.91
5.69
8.51
1.78
0.15
MILLIMETERS
INCHES
0.097
0.2125 BSC
0.107
2.46
5.397 BSC
2.72
K
L
M
0.135
0.425 BSC
0.852
0.165
3.43
10.8 BSC
21.64
4.19
N
Q
R
S
0.851
0.118
0.395
0.394
0.010 REF
0.015 REF
0.869
0.138
0.405
0.406
21.62
3.00
10.03
10.01
22.07
3.30
10.29
10.31
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
0.868
22.05
bbb
ccc
0.25 REF
0.38 REF
M
A
M
B
M
T
M
A
M
bbb
B
M
T
B
(FLANGE)
4X
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
J
M
A
M
bbb
B
M
T
M
A
M
ccc
B
M
T
N
(LID)
M
(INSULATOR)
A
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18140HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S19060NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19100HR3 RF Power Field Effect Transistors
MRF6S19140HR3 N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P9220HR3_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR3_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P9220HR5 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 47W NI-860C3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準包裝:3,000 系列:- 晶體管類型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S18060MBR1 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF6S18060NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 1880MHZ 60W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*