參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P27160HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
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代理商： MRF6P27160HR6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
2600
2610
2620
2630
2640
2645
2650
2660
2670
2680
2690
2700
5.24 + j2.46
5.69 + j2.04
5.71 + j1.59
5.62 + j1.48
6.90 + j0.61
6.85 + j0.63
6.76 + j0.59
6.50 + j0.59
6.13 + j0.56
5.95 + j0.69
5.81 + j0.83
5.61 + j1.15
5.69 + j1.48
5.91 + j1.67
6.12 + j1.68
6.17 + j1.60
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA, P
out
= 35 W Avg.
5.45 + j1.42
5.38 + j1.49
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
5.31 + j1.58
5.24 + j1.81
5.45 + j2.09
5.84 + j2.22
6.22 + j2.12
6.49 + j1.92
Z
o
= 10
Z
load
f = 2600 MHz
Z
source
f = 2700 MHz
f = 2600 MHz
f = 2700 MHz
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PDF描述
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