參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P27160HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
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代理商： MRF6P27160HR6
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
TYPICAL CHARACTERISTICS
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
10
60
10
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 160 W (PEP), I
DQ
= 1800 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 2645 MHz
5th Order
3rd Order
20
30
40
50
1
100
I
Figure 8. Pulse CW Output Power versus
Input Power
42
58
P3dB = 54.32 dBm (270.33 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA
Pulsed CW, 8
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 2645 MHz
56
54
52
50
36
38
40
Actual
Ideal
P1dB = 53.64 dBm (231.15 W)
57
34
P
o
,
A
Figure 9. Single-Carrier N-CDMA ACPR,
ALT1, Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
0
70
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) AVG. WCDMA
35
35
25
20
45
15
50
5
60
1
10
100
55
10
η
D
,
p
,
65
η
D
G
ps
400
5
20
0
50
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
V
DD
= 28 Vdc
I
DQ
= 1800 mA
f = 2645 MHz
10
15
5
30
20
10
η
D
,
D
G
ps
η
D
G
p
,
Figure 11. Power Gain versus Output Power
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) CW
V
DD
= 16 V
G
p
,
300
10
16
60
15
11
120
12
14
32 V
I
DQ
= 1800 mA
f = 2645 MHz
24 V
20 V
0
55
53
51
35
37
39
41
30
40
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA, f = 2645 MHz
SingleCarrier NCDMA, 1.2288 MHz Channel
Bandwidth, Peak/Avg. = 9.8 dB @ 0.01%
Probability (CCDF)
0
40
13
180
240
ACPR
0.1
1
100
10
28 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
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參數(shù)描述
MRF6P27160HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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