參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P27160HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 5/12頁
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代理商： MRF6P27160HR6
MRF6P27160HR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
2700
2600
2690
2680
2670
2660
2650
2620
2610
2630 2640
15
11
12
13
14
16
14
10
11
12
13
15
I
A
G
p
,
G
p
,
I
A
2700
2600
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 35 Watts Avg.
2690
2680
2670
2660
2650
2620
2610
16
15.8
65
24
22
40
50
55
IRL
G
ps
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier N-CDMA Broadband Performance @ P
out
= 70 Watts Avg.
15.2
15.1
60
35
31
30
30
35
45
55
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
100
12
17
0.1
I
DQ
= 2700 mA
2250 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
16
15
14
10
1000
30
1
I
DQ
= 900 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
40
50
60
10
η
D
,
E
η
D
η
D
,
E
G
p
,
I
I
15.4
15
14.6
14.2
14
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 35 W (Avg.),
I
DQ
= 1800 mA, NCDMA IS95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
14.9
14.7
14.5
14.3
14.2
14
13
900 mA
20
1800 mA
14.4
14.8
15.2
15.6
60
45
20
15
14.8
14.6
14.4
33
40
50
η
D
ACPR
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
1350 mA
2630 2640
IRL
ALT1
14.1
10
ALT1
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 70 W (Avg.),
I
DQ
= 1800 mA, NCDMA IS95 Pilot,
Sync, Paging, Traffic Codes 8 Through 13
1
1800 mA
1350 mA
0.1
V
DD
= 28 Vdc, f1 = 2643.75 MHz, f2 = 2646.25 MHz
TwoTone Measurements, 2.5 MHz Tone Spacing
2250 mA
2700 mA
23
21
34
32
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PDF描述
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
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