參數(shù)資料
型號： MRF6P27160H
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的側向
文件頁數(shù)： 8/12頁
文件大?。?/td> 497K
代理商： MRF6P27160H
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P27160HR6
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Ω
Z
load
Ω
2600
2610
2620
2630
2640
2645
2650
2660
2670
2680
2690
2700
5.24 + j2.46
5.69 + j2.04
5.71 + j1.59
5.62 + j1.48
6.90 + j0.61
6.85 + j0.63
6.76 + j0.59
6.50 + j0.59
6.13 + j0.56
5.95 + j0.69
5.81 + j0.83
5.61 + j1.15
5.69 + j1.48
5.91 + j1.67
6.12 + j1.68
6.17 + j1.60
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1800 mA, P
out
= 35 W Avg.
5.45 + j1.42
5.38 + j1.49
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to gate, balanced configuration.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to drain, balanced configuration.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
+
+
5.31 + j1.58
5.24 + j1.81
5.45 + j2.09
5.84 + j2.22
6.22 + j2.12
6.49 + j1.92
Z
o
= 10
Ω
Z
load
f = 2600 MHz
Z
source
f = 2700 MHz
f = 2600 MHz
f = 2700 MHz
相關PDF資料
PDF描述
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
MRF6P9220HR3 880 MHz, 47 W AVG., 28 V SINGLE N-CDMA LATERAL N-CHANNEL RF POWER MOSFET
MRF6S18100NBR1 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P27160H_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P27160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2700MHZ 35W NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P27160HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2700MHZ 35W NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P27160HR6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*