參數(shù)資料
型號： MRF6P24190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大小： 370K
代理商： MRF6P24190HR6
4
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P24190HR6
Figure 2. MRF6P24190HR6 Test Circuit Component Layout — 2450 MHz
*Stacked
+
+
+
+
+
+
R1
C12
C9*
C11C10*
B1
B2
C5
C1
C2
C6
B3
B4
R2
C16 C15
C14*C13*
C25 C26
C23 C24
C22
C28
C8
C4
C3
C18 C19
C17
C20 C21
C27
C
MRF6P24190H
Rev. 1.0
C7
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300H RF Power Field Effect Transistor
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參數(shù)描述
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MRF6P27160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 2700MHZ 35W NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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