參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P23190HR6
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
中文描述： RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的側(cè)向
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大?。?/td> 437K
代理商： MRF6P23190HR6
MRF6P23190HR6
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D-05
ISSUE E
NI-1230
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
MIN
1.615
0.395
0.150
0.455
0.062
0.004
1.400 BSC
0.082
0.117
0.540 BSC
1.219
MAX
1.625
0.405
0.200
0.465
0.066
0.007
MIN
41.02
10.03
3.81
11.56
1.57
0.10
35.56 BSC
2.08
2.97
13.72 BSC
30.96
MAX
41.28
10.29
5.08
11.81
1.68
0.18
MILLIMETERS
INCHES
0.090
0.137
2.29
3.48
N
Q
R
S
1.218
0.120
0.355
0.365
0.013 REF
0.010 REF
0.020 REF
1.242
0.130
0.365
0.375
30.94
3.05
9.01
9.27
31.55
3.30
9.27
9.53
A
G
L
D
K
4X
Q
2X
1
2
4
3
1.241
31.52
aaa
bbb
ccc
0.33 REF
0.25 REF
0.51 REF
SEATING
PLANE
N
C
E
M
M
A
M
aaa
B
M
T
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B
M
T
4X
A
T
M
A
M
bbb
B
M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
PIN 5
M
A
M
bbb
B
M
T
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P24190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P3300HR3 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
MRF6P3300HR5 RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6P24190HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P24190HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2.4GHZ HV6 40W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6P24190HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF6P27160H 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P27160H_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*