- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359218 > MRF5S9101NR1 (飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司) RF Power Field Effect Transistors PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF5S9101NR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 463K |
| 代理商： | MRF5S9101NR1 |
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF5S9101NR1(NBR1)/MR1(MBR1) 900 MHz Test Circuit Component Layout
C10
C12
C15
C11
C20
C13
C1
C2
C8
C9
C14
C16
C17
C19
R3
R1
C18
VGG
R2
C7
C21
C5
C3
C6
VDD
C4
C
Rev 2
MRF5S9101N
900 MHz
Freescale has begun the transition of marking Printed Circuit Boards (PCBs) with the Freescale Semiconductor
signature/logo. PCBs may have either Motorola or Freescale markings during the transition period. These changes will have
no impact on form, fit or function of the current product.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MRF6522-70R3 | The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P18190HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P21190HR6 | RF Power Field Effect Transistor, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P23190HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
| MRF6P24190HR6 | RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MRF5S9150HR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S9150HR3_09 | 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor |
| MRF5S9150HR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S9150HSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
| MRF5S9150HSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。