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參數(shù)資料
| 型號： | MRF5S9101MBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistors |
| 中文描述： | 射頻功率場效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 463K |
| 代理商： | MRF5S9101MBR1 |
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
Adc)
V
GS(th)
2
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 700 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2
Adc)
V
DS(on)
—
0.21
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 6
Adc)
g
fs
—
7
—
S
Dynamic Characteristics
(1)
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
70
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26
Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.2
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, P
out
= 100 W, I
DQ
= 700 mA, f = 960 MHz
Power Gain
G
ps
η
D
16
17.5
19
dB
Drain Efficiency
56
60
—
%
Input Return Loss
IRL
—
-15
-9
dB
P
out
@ 1 dB Compression Point, CW
P1dB
100
110
—
W
1. Part is internally input matched.
(continued)
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