參數(shù)資料
型號： MRF5S9101MBR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors
中文描述： 射頻功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 13/16頁
文件大?。?/td> 463K
代理商： MRF5S9101MBR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
13
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 23. Series Equivalent Source and Load Impedance
f
MHz
Z
source
Z
load
845
865
4.29 - j2.23
2.72 - j0.96
3.94 - j1.24
1.15 - j0.04
1.05 - j0.10
1.02 - j0.07
V
DD
=
26 Vdc, I
DQ
= 700 mA, P
out
= 100 W CW
Z
o
= 5
f = 990 MHz
f = 990 MHz
f = 845 MHz
f = 845 MHz
890
920
1.96 - j1.02
1.03 - j0.15
Z
load
Z
source
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under Test
Output
Matching
Network
1.58 - j1.43
1.03 - j0.05
960
990
1.27 - j1.54
0.73 - j0.07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF6P18190HR6 RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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