參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9100NR1
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： CAP 0.1UF 100V 10% X7R AXIAL TR-14
中文描述： N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 2/12頁(yè)
文件大?。?/td> 442K
代理商： MRF5S9100NR1
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5S9100NR1 MRF5S9100NBR1 MRF5S9100MR1 MRF5S9100MBR1
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Conditions
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
1C (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Moisture Sensitivity Level
Test Methodology
Rating
Package Peak Temperature
Unit
Per JESD 22-A113, IPC/JEDEC J-STD-020
3
260
°
C
Table 5. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 68 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 26 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
1
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
A)
V
GS(th)
2
2.8
3.5
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DS
= 26 Vdc, I
D
= 950 mAdc)
V
GS(Q)
—
3.7
—
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.0 Adc)
V
DS(on)
—
0.21
0.3
Vdc
Forward Transconductance
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 6 Adc)
g
fs
—
7
—
S
Dynamic Characteristics
(1)
Output Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
70
—
pF
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 26 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
2.2
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 26 Vdc, I
DQ
= 950 mA, P
out
= 20 W Avg. N-CDMA, f = 880 MHz,
Single-Carrier N-CDMA, 1.2288 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 30 kHz Bandwidth @
±
750 kHz Offset. PAR = 9.8 dB
@ 0.01% Probability on CCDF
Power Gain
G
ps
η
D
18
19.5
—
dB
Drain Efficiency
26
28
—
%
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-46.8
-45
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-19
-9
dB
1. Part is internally input matched.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101MR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S9101NR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF6522-70R3 The RF MOSFET Line RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
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參數(shù)描述
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MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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