MTD5P06VT4G

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功能描述
MOSFET PFET DPAK 60V 5A 450mOhm
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續(xù)電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風(fēng)格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

MTD5P06VT4G 技術(shù)參數(shù)

MTD5052W 功能描述:Photodiode 525nm 110° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效波長:525nm 顏色 - 增強(qiáng):藍(lán)/綠頻譜范圍:410nm ~ 580nm 二極管類型:- 不同 nm 時的響應(yīng)度:0.3 A/W @ 525nm 響應(yīng)時間:- 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:5V 電流 - 暗（典型值）:5pA 有效面積:- 視角:110° 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MTD5052N 功能描述:Photodiode 525nm 24° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效波長:525nm 顏色 - 增強(qiáng):藍(lán)/綠頻譜范圍:410nm ~ 580nm 二極管類型:- 不同 nm 時的響應(yīng)度:0.3 A/W @ 525nm 響應(yīng)時間:- 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:5V 電流 - 暗（典型值）:5pA 有效面積:- 視角:24° 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:5 MTD5010W 功能描述:Photodiode 850nm 3.5ns 110° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效波長:850nm 顏色 - 增強(qiáng):紅外（NIR）/紅頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:- 不同 nm 時的響應(yīng)度:0.2 A/W @ 450nm 響應(yīng)時間:3.5ns 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 暗（典型值）:5nA 有效面積:- 視角:110° 工作溫度:-30°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:7 MTD5010N 功能描述:Photodiode 850nm 3.5ns 24° 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效波長:850nm 顏色 - 增強(qiáng):紅外（NIR）/紅頻譜范圍:400nm ~ 1100nm 二極管類型:- 不同 nm 時的響應(yīng)度:0.2 A/W @ 450nm 響應(yīng)時間:3.5ns 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:30V 電流 - 暗（典型值）:5nA 有效面積:- 視角:24° 工作溫度:-30°C ~ 100°C 安裝類型:通孔封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:7 MTD3610D3 功能描述:Photodiode 940nm 制造商:marktech optoelectronics 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效波長:940nm 顏色 - 增強(qiáng):- 頻譜范圍:400nm ~ 1060nm 二極管類型:- 不同 nm 時的響應(yīng)度:0.45 A/W @ 660nm 響應(yīng)時間:- 電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:20V 電流 - 暗（典型值）:10nA 有效面積:- 視角:- 工作溫度:-20°C ~ 85°C 安裝類型:- 封裝/外殼:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:10 MTD6502B-HC1-00 MTD6502B-HC1-01 MTD6502B-HC1-02 MTD6502B-LC1-00 MTD6502B-LC1-01 MTD6502B-LC1-02 MTD6505T-E/NA MTD6508-ADJE/JQ MTD6508-E/NA MTD6508T-ADJE/JQ MTD6508T-E/NA MTD6N15T4 MTD6N15T4G MTD6N15T4GV MTD6N20ET4 MTD6N20ET4G MTD6N20ET5G MTD6P10E