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MR0A16ACYS35

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  • 功能描述
  • NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • Maxim Integrated
  • 數(shù)據(jù)總線寬度
  • 8 bit
  • 存儲(chǔ)容量
  • 1024 Kbit
  • 組織
  • 128 K x 8
  • 接口類型
  • Parallel
  • 訪問時(shí)間
  • 70 ns
  • 電源電壓-最大
  • 5.5 V
  • 電源電壓-最小
  • 4.5 V
  • 工作電流
  • 85 mA
  • 最大工作溫度
  • + 70 C
  • 最小工作溫度
  • 0 C
  • 封裝 / 箱體
  • EDIP
  • 封裝
  • Tube
MR0A16ACYS35 技術(shù)參數(shù)
  • MR0A16ACMA35R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0A16ACMA35 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 64Kx16 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0A08BYS35R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0A08BYS35 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0A08BSO35R 功能描述:NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 35ns Parallel MRAM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 存儲(chǔ)容量:1024 Kbit 組織:128 K x 8 接口類型:Parallel 訪問時(shí)間:70 ns 電源電壓-最大:5.5 V 電源電壓-最小:4.5 V 工作電流:85 mA 最大工作溫度:+ 70 C 最小工作溫度:0 C 封裝 / 箱體:EDIP 封裝:Tube MR0A16AYS35 MR0A16AYS35R MR0D08BMA45 MR0D08BMA45R MR0DL08BMA45 MR0DL08BMA45R MR-1 MR10 MR102100K00AAE66 MR102100K00BAE66 MR102100K00TAE66 MR102100R00AAE66 MR102100R00BAE66 MR102100R00TAE66 MR10210K000AAE66 MR10210K000BAE66 MR10210K000TAE66 MR1021K0000AAE66
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