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MT4HTF3264HY-53ED3

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • MT4HTF3264HY-53ED3
    MT4HTF3264HY-53ED3

    MT4HTF3264HY-53ED3

    優(yōu)勢
  • 深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司
    深圳市興合盛科技發(fā)展有限公司

    聯(lián)系人：銷售部經(jīng)理：馬先生

    電話：0755-8335078918923859456

    地址：深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)8棟829/北京市海淀區(qū)中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 151

  • Micron Technology Inc.

  • DDR2

  • 23+

  • -

  • ★★華南優(yōu)質(zhì)供應商★★

  • MT4HTF3264HY-53ED3
    MT4HTF3264HY-53ED3

    MT4HTF3264HY-53ED3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Micron Technology Inc.

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 原裝正品，質(zhì)量保障假一罰十

  • MT4HTF3264HY-53ED3
    MT4HTF3264HY-53ED3

    MT4HTF3264HY-53ED3

  • 深圳市時興宇電子有限公司
    深圳市時興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強北都會大廈A座19樓19G

  • 8685

  • MICRON

  • 10+

  • -

  • 絕對公司原裝現(xiàn)貨

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
MT4HTF3264HY-53ED3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MODULE DDR2 256MB 200SODIMM
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 存儲卡，模塊 >> 存儲器 - 模塊
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • -
  • 存儲器類型
  • SDRAM
  • 存儲容量
  • 1GB
  • 速度
  • 133MHz
  • 特點
  • -
  • 封裝/外殼
  • 168-DIMM
MT4HTF3264HY-53ED3 技術參數(shù)
  • MT4HTF3264AY-667D3 功能描述:MODULE DDR2 SDRAM 256MB 240UDIMM 制造商:micron technology inc. 系列:- 零件狀態(tài):過期 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:256MB 速度:667MT/s 封裝/外殼:240-UDIMM 標準包裝:100 MT49H8M36FM-5 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 200MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-33 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 300MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI MT49H8M36FM-25:B 功能描述:IC RLDRAM 288MB 144UBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF MT49H8M36FM-25 TR 功能描述:IC RLDRAM 288MBIT 400MHZ 144FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 05/Nov/2008 標準包裝:84 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 ZBT 存儲容量:4.5M（128K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:119-BGA 供應商設備封裝:119-PBGA（14x22） 包裝:托盤 其它名稱:71V3557SA75BGI MT4HTF6464AY-667E1 MT4HTF6464AZ-667H1 MT4HTF6464AZ-800H1 MT4HTF6464AZ-800M1 MT4HTF6464HY-667E1 MT4HTF6464HZ-667H1 MT4HTF6464HZ-800H1 MT4HTF6464HZ-800M1 MT4JSF12864HZ-1G1D1 MT4JSF12864HZ-1G4D1 MT4JSF12864HZ-1G6D1 MT4JSF6464HY-1G4B1 MT4JTF12864AZ-1G1D1 MT4JTF12864AZ-1G4D1 MT4JTF12864AZ-1G6D1 MT4JTF25664AZ-1G6E1 MT4JTF25664HZ-1G6E1 MT4KSF12864HZ-1G1D1
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