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MMBTA64LT3G

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  • MMBTA64LT3G
    MMBTA64LT3G

    MMBTA64LT3G

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ON SEMICO

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  • MMBTA64LT3G
    MMBTA64LT3G

    MMBTA64LT3G

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯(lián)系人:張小姐

    電話:1501927513013823545558

    地址:深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5750

  • ON/安森美

  • NA

  • 22+

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  • 功能描述
  • 達林頓晶體管 SS DL XSTR PNP 30V
  • RoHS
  • 制造商
  • Texas Instruments
  • 配置
  • Octal
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
  • 50 V
  • 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
  • 集電極—基極電壓 VCBO
  • 最大直流電集電極電流
  • 0.5 A
  • 最大集電極截止電流
  • 功率耗散
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SOIC-18
  • 封裝
  • Reel
MMBTA64LT3G 技術(shù)參數(shù)
  • MMBTA63-7 功能描述:TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 晶體管類型:PNP - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA44-G 功能描述:NPN TRANSISTOR 200MA 400V SOT-23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):750mV @ 5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:1 MMBTA42,215 功能描述:TRANS NPN 300V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:MMBTA42 標準包裝:1 MMBTA42 功能描述:TRANS NPN 300V 0.5A SOT-23 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):300V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 2mA,20mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 30mA,10V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:50MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA28-7 功能描述:TRANS NPN DARL 80V 0.5A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):無貨 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):500mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):80V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.5V @ 100μA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):500nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 100mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:125MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 MMBTA92LT1G MMBTA92LT3 MMBTA92LT3G MMBTA92-TP MMBTA93LT1 MMBTA93LT1G MMBTH10 MMBTH10-4LT1 MMBTH10-4LT1G MMBTH10-7 MMBTH10-7-F MMBTH10LT1 MMBTH10LT1G MMBTH10LT3G MMBTH10M3T5G MMBTH10RG MMBTH10-TP MMBTH11
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