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MLP2012H1R5MT0S1

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  • 型號
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  • MLP2012H1R5MT0S1
    MLP2012H1R5MT0S1

    MLP2012H1R5MT0S1

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • TDK Corporation

  • 標準封裝

  • 16+

  • -

  • 假一罰十，百分百正品

  • MLP2012H1R5MT0S1
    MLP2012H1R5MT0S1

    MLP2012H1R5MT0S1

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • TDK

  • SMD

  • 最新批號

  • -

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  • MLP2012H1R5MT0S1
    MLP2012H1R5MT0S1

    MLP2012H1R5MT0S1

  • 北京力通科信電子有限公司
    北京力通科信電子有限公司

    聯(lián)系人：韓小姐

    電話：13661385246

    地址：北京市海淀區(qū)知春路118號知春大廈B座1504室，新中發(fā)電子市場B1303-b1305柜臺

  • 11

  • TDK

  • N/A

  • 17+

  • -

  • 13661385246進口原裝現(xiàn)貨。最新...

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MLP2012H1R5MT0S1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 1.5μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric)
  • 制造商
  • tdk corporation
  • 系列
  • MLP
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 有效
  • 類型
  • 多層
  • 材料 - 磁芯
  • 鐵氧體
  • 電感
  • 1.5μH
  • 容差
  • ±20%
  • 額定電流
  • 1.1A
  • 電流 - 飽和值
  • -
  • 屏蔽
  • 屏蔽
  • DC 電阻（DCR）
  • 156 毫歐最大
  • 不同頻率時的 Q 值
  • -
  • 頻率 - 自諧振
  • -
  • 等級
  • -
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試
  • 2MHz
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 0805（2012 公制）
  • 大小/尺寸
  • 0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）
  • 0.039"（1.00mm）
  • 標準包裝
  • 1
MLP2012H1R5MT0S1 技術參數
  • MLP2012H1R0MT0S1 功能描述:1μH Shielded Multilayer Inductor 1.1A 156 mOhm Max 0805 (2012 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1μH 容差:±20% 額定電流:1.1A 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:156 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0805（2012 公制） 大小/尺寸:0.079" 長 x 0.049" 寬（2.00mm x 1.25mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.039"（1.00mm） 標準包裝:1 MLP1N06CLG 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP1N06CL 功能描述:MOSFET 62V 1A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube MLP193M7R5EK0A 功能描述:19000μF 7.5V Aluminum Capacitors FlatPack, Tabbed 76 mOhm 2000 Hrs @ 85°C 制造商:cornell dubilier electronics (cde) 系列:MLP 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 電容:19000μF 容差:±20% 額定電壓:7.5V ESR（等效串聯(lián)電阻）:76 毫歐 不同溫度時的使用壽命:85°C 時為 2000 小時 工作溫度:-55°C ~ 85°C 極化:- 應用:通用 紋波電流:4.2A 阻抗:- 引線間距:1.000"（25.40mm） 大小/尺寸:1.500" 長 x 1.750" 寬（38.10mm x 44.45mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.500"（12.70mm） 表面貼裝焊盤尺寸:- 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:扁平封裝，焊片式 標準包裝:1 MLP1608VR47DT0S1 功能描述:470nH Shielded Multilayer Inductor 800mA 286 mOhm Max 0603 (1608 Metric) 制造商:tdk corporation 系列:MLP 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:多層 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470nH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:- 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:286 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 125°C 頻率 - 測試:2MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:0603（1608 公制） 大小/尺寸:0.063" 長 x 0.031" 寬（1.60mm x 0.80mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.030"（0.75mm） 標準包裝:1 MLP2012S1R0TT0S1 MLP2012S1R5MT0S1 MLP2012S1R5T MLP2012S1R5TT0S1 MLP2012S2R2MT0S1 MLP2012S2R2T MLP2012S2R2TT0S1 MLP2012S3R3MT0S1 MLP2012S4R7MT0S1 MLP2012SR47MT0S1 MLP2012SR47T MLP2012SR47TT0S1 MLP2012SR82T MLP2012SR82TT0S1 MLP2012V1R0MT0S1 MLP2012V1R0T MLP2012V1R0TT MLP2012V1R0TT0S1
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