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參數(shù)資料
| 型號： | LH28F004SUT-Z1 |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 45/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F004SUT-Z1 |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 45 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
OL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
CE# (E)
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVWH
t
ELWL
t
WHEH
t
WHGL
t
WHWL
t
WHQV1/2/3/4
t
WLWH
t
DVWH
t
WHDX
Valid
SRD
t
PHWL
t
WHRL
t
VPWH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHWH
t
QVSL
t
WHAX
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
Fig. 17 AC Waveform for WE#-Controlled Write Operations
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F008SAHR-85 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SCB-L85 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SCB-T12 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SCB-T15 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SCB-TL12 | x8 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F004SU-Z1 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8) Flash Memory |
| LH28F004SU-Z9 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512 】 8) Flash Memory |
| LH28F008BJT-BTLZ1 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述:Flash Mem Parallel 3.3V 8M-Bit 1M x 8 100ns 40-Pin TSOP |
| LH28F008SA | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:4M (512K 】 8, 256K 】 16) Flash Memory |
| LH28F008SA-12 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M (1M 】 8) Flash Memory |
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