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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | K4E661612B |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| 中文描述： | 4米× 16位的CMOS動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 27/36頁(yè) |
| 文件大小： | 885K |
| 代理商： | K4E661612B |
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CMOS DRAM
K4E661612B,
K4E641612B
t
WCS
RAS
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IH
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V
IL
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UCAS
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HYPER PAGE MODE UPPER BYTE WRITE CYCLE ( EARLY WRITE )
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DQ0 ~ DQ7
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DATA-IN
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NOTE : D
OUT
= OPEN
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RAL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| K4E661612C-45 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
| K4E661612C-50 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱(chēng):Samsung semiconductor 功能描述:4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out |
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