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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IMH20 |
| 廠商： | Rohm CO.,LTD. |
| 英文描述： | General purpose (dual digital transistors) |
| 中文描述： | 通用（雙數(shù)字晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | IMH20 |
IMH20
Transistors
z
Absolute maximum ratings
(Ta = 25
°
C)
2/3
Parameter
Symbol
Limits
Unit
V
CBO
30
V
V
CEO
15
V
V
EBO
5
V
I
C
600
mA
Tj
150
°
C
Tstg
55 to
+
150
°
C
Pc
mW
300 (TOTAL)
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Junction temperature
Storage temperature
200mW per element must not be exceeded.
z
Electrical characteristics
(Ta = 25
°
C)
Collector power dissipation
Parameter
Symbol
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE(sat)
R
1
Min.
30
15
5
100
1.64
250
40
2.2
0.5
0.5
600
80
2.86
V
I
C
=50
μ
A
I
C
=1mA
I
E
=50
μ
A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
I
C
=50mA , V
CE
=5V
I
C
/I
B
=50mA/2.5mA
V
V
μ
A
μ
A
mV
k
Typ.
Max.
Unit
Conditions
Ron
0.65
V
CE
=7V, I
E
=1k
, f=1KHz
f
T
200
V
CE
=10V, I
E
=
50mA, f=100MHz
MHz
Transition frequency of the device
z
Electrical characteristic curves
Collector-base breakdown voltage
Collector-emitter breakdown voltage
Emitter-base breakdown voltage
Collector cutoff current
Emitter cutoff current
DC current transfer ratio
Output on resistoance
Transition frequency
Collector-emitter saturation voltage
Input resistance
Fig.1 DC current gain vs. collector
current
D
F
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
V
CE
=
5V
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m 200m
500m
1k
500
200
100
50
20
10
5
2
1
Ta=100
°
C
25
°
C
40
°
C
Fig.2 Collector-emitter saturation
voltage vs. collector current
C
C
(
COLLECTOR CURRENT : I
C
(A)
I
C
/I
B
=
20
1m
2m
5m
10m
20m
50m 100m 200m
500m
1
500m
200m
100m
50m
20m
10m
5m
2m
1m
Ta=100
°
C
25
°
C
40
°
C
O
)
INPUT VOLTAGE : V
I
(V)
f=
1kHz
R
L
=
1k
h
FE
=
250(5V/50mA)
100m 200m
500m
1
2
5
10
20
50
100
100
50
20
10
5
2
1
500m
200m
100m
Ta=25
°
C
Fig.3 Output on resistance vs. input voltage
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IMH20TR1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 500mA 50V Digital NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| IMH21 | 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:Dual digital transistors |
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