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AO6402

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  • N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
AO6402 技術(shù)參數(shù)
  • AO6401A 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A 6TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):44 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):13nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1180pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6400 功能描述:MOSFET N-CH 30V 6.9A 6-TSOP 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.9A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):28 毫歐 @ 6.9A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1030pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-74,SOT-457 供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6085N03 功能描述:MOSFET N-CH 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):11A(Ta),50A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):24nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):1380pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.9W(Ta),31W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 20A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN(5x6) 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO5804EL 功能描述:MOSFET N-CH SC89-3 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AO5804E 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SC89-6L 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙) FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):500mA 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):45pF @ 10V 功率 - 最大值:280mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666 供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 AO6409_DELTA AO6409A AO6409A_102 AO6411 AO6414 AO6415 AO6420 AO6424 AO6424A AO6601 AO6601_001 AO6602L AO6604 AO6604L_001 AO6608 AO6701 AO6704 AO6800
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