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STP30N05FI

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  • STP30N05FI
    STP30N05FI

    STP30N05FI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，假一罰十

  • STP30N05FI
    STP30N05FI

    STP30N05FI

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯(lián)系人：賴先生

    電話：0755-8394638513632637322

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 18652

  • ST

  • TO-220

  • 2024+

  • -

  • 代理原裝現(xiàn)貨假一賠十

  • STP30N05FI
    STP30N05FI

    STP30N05FI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • N/A

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • STP30N05FI
    STP30N05FI

    STP30N05FI

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 4810

  • ST

  • TO-220

  • 13+

  • -

  • 原裝正品現(xiàn)貨庫存

  • STP30N05FI
    STP30N05FI

    STP30N05FI

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯(lián)系人：廖小姐

    電話：13410012158

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 10+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨優(yōu)勢庫存

  • STP30N05FI?
    STP30N05FI?

    STP30N05FI?

  • 深圳市芯睿晨科技有限公司
    深圳市芯睿晨科技有限公司

    聯(lián)系人：李小姐/肖先生

    電話：0755-8257149682571956

    地址：賽格廣場69樓6900

    資質：營業(yè)執(zhí)照

  • 9355

  • ST

  • 原廠封裝

  • 21+

  • -

  • ★假一賠十!絕對原裝現(xiàn)貨市場最低價！★

  • 1/1頁 40條/頁 共19條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
STP30N05FI 技術參數(shù)
  • STP300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:24V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.2 毫歐 @ 80A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:109.4nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP2NK90Z 功能描述:MOSFET N-CH 900V 2.1A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.5 歐姆 @ 1.05A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:485pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP2NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.4A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 700mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:170pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP2NK100Z 功能描述:MOSFET N-CH 1000V 1.85A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:1000V（1kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.85A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.5 歐姆 @ 900mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:499pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP310N10F7 STP315N10F7 STP31N65M5 STP32N65M5 STP32NM50N STP33N60DM2 STP33N60M2 STP33N65M2 STP34N65M5 STP34NM60N STP34NM60ND STP35N60DM2 STP35N65M5 STP35NF10 STP360N4F6 STP36N55M5 STP36N60M6 STP36NF06
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