先進(jìn)先出 Mil Enhance 16384x18 Synch 先進(jìn)先出 Memory
RoHS
否
制造商
IDT
電路數(shù)量
數(shù)據(jù)總線寬度
18 bit
總線定向
Unidirectional
存儲(chǔ)容量
4 Mbit
定時(shí)類型
Synchronous
組織
256 K x 18
最大時(shí)鐘頻率
100 MHz
訪問時(shí)間
10 ns
電源電壓-最大
3.6 V
電源電壓-最小
6 V
最大工作電流
35 mA
最大工作溫度
+ 85 C
封裝 / 箱體
TQFP-80
封裝
SN74V273PZAEP 技術(shù)參數(shù)
SN74V273-7PZA功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 18 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:SN74V273-7GGM功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 18 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:SN74V273-6PZA功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 18 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:SN74V273-6GGM功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 18 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:SN74V273-15PZA功能描述:先進(jìn)先出 16384 x 18 Synch 先進(jìn)先出 Memory RoHS:否 制造商:IDT 電路數(shù)量: 數(shù)據(jù)總線寬度:18 bit 總線定向:Unidirectional 存儲(chǔ)容量:4 Mbit 定時(shí)類型:Synchronous 組織:256 K x 18 最大時(shí)鐘頻率:100 MHz 訪問時(shí)間:10 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:6 V 最大工作電流:35 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TQFP-80 封裝:SN74V293-10GGMSN74V293-10PZASN74V293-15GGMSN74V293-15PZASN74V293-15PZAG4SN74V293-6GGMSN74V293-6PZASN74V293-7GGMSN74V293-7PZASN74V293PZAEPSN74V3640-10PEUSN74V3640-15PEUSN74V3640-6PEUSN74V3640-7PEUSN74V3650-10PEUSN74V3650-15PEUSN74V3650-6PEUSN74V3650-7PEU