S-2812A

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

S-2812AFE-400
深圳市新良宇電子有限公司
深圳市新良宇電子有限公司
聯(lián)系人：李先生
電話：0755-8323763213302457603
地址：福田區(qū)振興路華勻大廈221室
56912
Seiko Instruments Inc (SI
IC 2K X 8 EEPROM 3V,
23+
-
原裝現(xiàn)貨歡迎來電查詢！

S-2812AFE-150-TE
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-8860880117727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
原廠
SOP
18+
-
原裝正品，歡迎訂購

S-2812AFE-150-TE
深圳市一線半導體有限公司
深圳市一線半導體有限公司
聯(lián)系人：謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐
電話：0755-88608801多線17727932378
地址：深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F
36200
原廠
SOP
18+
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原裝正品，歡迎訂購

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制造商
SII
制造商全稱
Seiko Instruments Inc
功能描述
CMOS 16K-bit PARALLEL EEPROM

S-2812A 技術(shù)參數(shù)

S27KS0641DPBHV023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:1 S27KS0641DPBHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:338 S27KS0641DPBHI023 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) 存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:1 S27KS0641DPBHI020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 1.8V 166MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售存儲器類型:易失存儲器格式:DRAM 技術(shù):DRAM 存儲容量:64Mb （8M x 8）時鐘頻率:166MHz 寫周期時間 - 字，頁:- 訪問時間:40ns 存儲器接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:24-TBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-BGA（6x8）標準包裝:338 S27KL0641DABHV020 功能描述:IC DRAM 64MBIT 3V 100MHZ 24BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:HyperRAM? 包裝:托盤零件狀態(tài):在售格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DRAM 存儲容量:64M（8M x 8）速度:100MHz 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 105°C（TA）封裝/外殼:24-VBGA 供應(yīng)商器件封裝:24-FBGA（6x8）標準包裝:338 S29AL008J55BFIR20 S29AL008J55BFIR22 S29AL008J55BFIR23 S29AL008J55TFAR20 S29AL008J55TFAR23 S29AL008J55TFIR10 S29AL008J55TFIR20 S29AL008J55TFIR23 S29AL008J55TFNR10 S29AL008J55TFNR20 S29AL008J70BAI010 S29AL008J70BAI012 S29AL008J70BAI020 S29AL008J70BAN020 S29AL008J70BFA010 S29AL008J70BFA020 S29AL008J70BFI010 S29AL008J70BFI013