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PMGD280UN115

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  • PMGD280UN115
    PMGD280UN115

    PMGD280UN115

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：134242936540755-83690762

    地址：深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 2960

  • NXP

  • SOT23-5

  • 1433+

  • -

  • 原裝現(xiàn)貨/特價(jià)

  • PMGD280UN115
    PMGD280UN115

    PMGD280UN115

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯(lián)系人：林小姐//方先生

    電話：0755-88377780010-58488628

    地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號(hào)電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處：北京海春路中發(fā)大廈60淀區(qū)知

  • 3000

  • PH2

  • 2012+

  • -

  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
PMGD280UN115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N CH TRENCH DL 20V SOT363
PMGD280UN115 技術(shù)參數(shù)
  • PMGD280UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.87A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:870mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:340 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:45pF @ 20V 功率 - 最大值:400mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD175XNEX 功能描述:MOSFET 2 N-CH 30V 870MA 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:870mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:252 毫歐 @ 900mA，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:81pF @ 15V 功率 - 最大值:260mW（Ta） 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD175XN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:900mA 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:225 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.1nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:75pF @ 15V 功率 - 最大值:390mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMGD130UN,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 20V 1.2A 6TSSOP 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:1.2A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:145 毫歐 @ 1.2A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:390mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMG85XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應(yīng) FET 類型:P 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:2A（Tj） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.15V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:7.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:560pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375mW（Ta），2.4W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:115 毫歐 @ 2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:6-TSSOP 封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V PMH-10H-DC12V PMH-10H-DC24V PMH-10M-AC120V PMH-10M-AC240V PMH-10M-AC24V PMH-10M-DC12V PMH-10M-DC24V
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