Advanced DDR memory termination power with shutdown
NE57811S 技術(shù)參數(shù)
NE57810S/N1,518功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 PWR DBL DATA RATE RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:TrayNE57810S/G,518功能描述:線性穩(wěn)壓器 - 標準 DDR Memory Term Regulator 6-Pin RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 輸出類型: 極性: 輸出電壓:1.8 V 輸出電流:150 mA 負載調(diào)節(jié): 最大輸入電壓:5.5 V 線路調(diào)整率: 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-323-5LNE57810S,518功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 DOUBLE DATA RATE TERMINATOR RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:TrayNE570DR2G功能描述:通信集成電路 - 若干 Dual Gain Compandor Commercial Temp RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 類型:Transport Devices 封裝 / 箱體:TECSBGA-256 數(shù)據(jù)速率:100 Mbps 電源電壓-最大:1.89 V, 3.465 V 電源電壓-最小:1.71 V, 3.135 V 電源電流:50 mA, 225 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:TubeNE570DR2功能描述:通信集成電路 - 若干 Dual Gain Compandor RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 類型:Transport Devices 封裝 / 箱體:TECSBGA-256 數(shù)據(jù)速率:100 Mbps 電源電壓-最大:1.89 V, 3.465 V 電源電壓-最小:1.71 V, 3.135 V 電源電流:50 mA, 225 mA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝:TubeNE592D14NE592D14GNE592D14R2NE592D14R2GNE592D8NE592D8GNE592D8R2NE592D8R2GNE592N14NE592N14GNE592N8NE592N8GNE6NE650103M-ANE6510179A-ANE6510179A-EVPW19NE6510179A-EVPW24NE6510179A-EVPW26