MT46V64M4FB-6ES

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MT46V64M4FB-6ES 技術參數

MT46V64M4BG-6:GTR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 6NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT46V64M4BG-5B:GTR 功能描述:IC DDR SDRAM 256MBIT 5NS 60FBGA RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:1 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SDRAM 存儲容量:256M（8Mx32）速度:143MHz 接口:并聯電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:90-VFBGA 供應商設備封裝:90-VFBGA（8x13）包裝:托盤其它名稱:Q2841869 MT46V64M16TG-75:A TR 功能描述:IC DDR SDRAM 1GBIT 7.5NS 66TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) MT46V64M16TG-75:A 功能描述:IC DDR SDRAM 1GBIT 7.5NS 66TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) MT46V64M16TG-6T:A TR 功能描述:IC DDR SDRAM 1GBIT 6NS 66TSOP RoHS:否類別:集成電路 (IC) >> 存儲器系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) MT46V64M4P-5B:M MT46V64M4P-6T:GTR MT46V64M4P-6T:K MT46V64M4TG-5B:G TR MT46V64M4TG-6T:G TR MT46V64M4TG-75:G MT46V64M4TG-75:G TR MT46V64M8BN-5B:D MT46V64M8BN-5B:D TR MT46V64M8BN-5B:F MT46V64M8BN-5B:F TR MT46V64M8BN-6 IT:F MT46V64M8BN-6 IT:F TR MT46V64M8BN-6 L:F MT46V64M8BN-6 L:F TR MT46V64M8BN-6:D MT46V64M8BN-6:D TR MT46V64M8BN-6:F