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MT29F1G08ABCM58A3WC1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

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    地址:深圳市福田區(qū)華強北華強花園B9F

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MT29F1G08ABCM58A3WC1 技術(shù)參數(shù)
  • MT29F1G08ABCHC-ET:C TR 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 MT29F1G08ABCHC-ET:C 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT29F1G08ABCHC:C TR 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M(256K x 18) 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP(14x20) 包裝:托盤 MT29F1G08ABCHC:C 功能描述:IC FLASH 1GBIT 63VFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR) MT29F1G08ABBFAH4-ITE:F TR 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63VFBGA 制造商:micron technology inc. 系列:- 包裝:* 零件狀態(tài):在售 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:1G(128M x 8) 速度:25ns 接口:并聯(lián) 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.95 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:* 供應(yīng)商器件封裝:* 標準包裝:1 MT29F1G16ABBDAM68A3WC1 MT29F1G16ABBEAH4:E MT29F1G16ABBEAH4:E TR MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E MT29F1G16ABBEAH4-AITX:E TR MT29F1G16ABBEAH4-IT:E MT29F1G16ABBEAH4-IT:E TR MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E MT29F1G16ABBEAH4-ITX:E TR MT29F1G16ABBEAHC:E MT29F1G16ABBEAHC:E TR MT29F1G16ABBEAHC-AIT:E TR MT29F1G16ABBEAHC-IT:E MT29F1G16ABBEAHC-IT:E TR MT29F1G16ABBEAM68M3WC2 MT29F1G16ABBEAMD-IT:E MT29F1G16ABBEAMD-IT:E TR MT29F1G16ABCHC:C
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