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MGE

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  • MGEA48-20MI
    MGEA48-20MI

    MGEA48-20MI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ATMEL

  • QFN

  • 13+

  • -

  • MGEM01
    MGEM01

    MGEM01

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • QFP

  • 03+

  • -

  • 假一罰十，百分百原裝正品

  • MGEA48-20MI
    MGEA48-20MI

    MGEA48-20MI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ATMEL

  • QFN

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • MGEA48-20MI
    MGEA48-20MI

    MGEA48-20MI

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 3000

  • ATMEL

  • QFN

  • 13+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • MGEC-OPA
    MGEC-OPA

    MGEC-OPA

  • 廣東濟(jì)德精密電子有限公司
    廣東濟(jì)德精密電子有限公司

    聯(lián)系人：吳

    電話：18724450645

    地址：東莞市大朗鎮(zhèn)松木山村德利路1號(hào)2棟2樓

  • 100

  • 微伽

  • NA

  • 23+

  • -

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MGE 技術(shù)參數(shù)
  • MGDU5-00025 功能描述:1mH Unshielded Wirewound Inductor 560mA 1.8 Ohm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:1mH 容差:±20% 額定電流:560mA 電流 - 飽和值:1A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.8 歐姆最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.291"（7.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MGDU5-00018 功能描述:470μH Unshielded Wirewound Inductor 820mA 850 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:820mA 電流 - 飽和值:1.4A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:850 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.291"（7.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MGDU5-00014 功能描述:100μH Unshielded Wirewound Inductor 1.8A 190 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:100μH 容差:±20% 額定電流:1.8A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:190 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.291"（7.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MGDU5-00012 功能描述:47μH Unshielded Wirewound Inductor 2.6A 86 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.6A 電流 - 飽和值:4.5A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:86 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.291"（7.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MGDU5-00008 功能描述:10μH Unshielded Wirewound Inductor 4.3A 31 mOhm Max Nonstandard 制造商:te connectivity 系列:MGDU5，Coev 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:- 電感:10μH 容差:±20% 額定電流:4.3A 電流 - 飽和值:10A 屏蔽:無屏蔽 DC 電阻（DCR）:31 毫歐最大 不同頻率時(shí)的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級(jí):- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測(cè)試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標(biāo)準(zhǔn) 大小/尺寸:0.730" 長 x 0.600" 寬（18.54mm x 15.24mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.291"（7.40mm） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MGFS152405-G MGFS152405-R MGFS152412 MGFS152412-R MGFS152415 MGFS152415-R MGFS15243R3 MGFS15243R3-R MGFS154805 MGFS154805-R MGFS154812 MGFS154812-R MGFS154815 MGFS154815-R MGFS15483R3 MGFS15483R3-R MGFS1R52405 MGFS1R52412
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