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MCH6408-TL-E

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  • MCH6408-TL-E
    MCH6408-TL-E

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  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
    深圳市一線半導(dǎo)體有限公司

    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-88608801多線17727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

  • 36200

  • SANYO

  • SC-82

  • 18+

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  • 原裝正品,歡迎訂購

  • MCH6408-TL-E
    MCH6408-TL-E

    MCH6408-TL-E

  • 深圳市一線半導(dǎo)體有限公司
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    聯(lián)系人:謝小姐/鐘先生/陳先生/陳小姐

    電話:0755-8860880117727932378

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北華強(qiáng)花園B9F

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  • MCH6408-TL-E
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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • SANYO

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  • MCH6408-TL-E
    MCH6408-TL-E

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    甄芯網(wǎng)

    聯(lián)系人:柯先生/趙小姐

    電話:0755-83665813

    地址:深圳市福田區(qū)深南中路3006號(hào)佳和大廈B座907 門市部:中航路都會(huì)電子3C002B

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 45000

  • SANYO

  • SOT-363

  • 11+

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  • 都會(huì)1C052A房間原裝收購庫存

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MCH6408-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • SANYO
  • 功能描述
  • Nch 20V 5A lbogU Tape & Reel
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • MOSFET N CH 20V 5A SC-82
  • 制造商
  • Sanyo
  • 功能描述
  • 0
MCH6408-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • MCH6337-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):4.5A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):49 毫歐 @ 3A,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):670pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6202-TL-E 功能描述:TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):225mV @ 15mA,750mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:500MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6102-TL-E 功能描述:TRANS PNP 30V 1.5A MCPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時(shí)的?Vce 飽和值(最大值):375mV @ 15mA,750mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:450MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:6-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH5837-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 2A MCPH5 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:二極管(隔離式),邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):145 毫歐 @ 1A,4V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):1.8nC @ 4V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):115pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-SMD(5引線),扁引線 供應(yīng)商器件封裝:5-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)(dB,不同 f 時(shí)的典型值):1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic,Vce?時(shí)的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,1V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):40mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD,扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6437-P-TL-E MCH6437-TL-E MCH6437-TL-W MCH6444-TL-H MCH6444-TL-W MCH6445-TL-W MCH6448-TL-H MCH6448-TL-W MCH6534-TL-E MCH6536-TL-E MCH6541-TL-E MCH6542-TL-E MCH6544-TL-E MCH6545-TL-E MCH6601-TL-E MCH6602-TL-E MCH6603-TL-H MCH6604-TL-E
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