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MCH5802-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • MCH5802-TL-E
    MCH5802-TL-E

    MCH5802-TL-E

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 7800

  • SANYO

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 02+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • MCH5802-TL-E
    MCH5802-TL-E

    MCH5802-TL-E

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 76225

  • 申請?zhí)貎r

  • TEL83745907

  • 2009

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • MCH5802-TL-E
    MCH5802-TL-E

    MCH5802-TL-E

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • 原廠

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -

  • 代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

  • MCH5802-TL-E
    MCH5802-TL-E

    MCH5802-TL-E

  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：雷小姐

    電話：0755-2391507123915070（承諾只售原裝正品，終端BOM配單一站式服務(wù)）

    地址：華強街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 69860

  • SANYO/三洋

  • 2020+

  • -

  • 大中華區(qū)授權(quán)代理可接受訂貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
MCH5802-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準(zhǔn)
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • Cut Tape
  • 制造商
  • SANYO Semiconductor Co Ltd
  • 功能描述
  • MOSFET P CH SCHOT DIODE SC-82
MCH5802-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • MCH4009-TL-E 功能描述:TRANS NPN 3.5V 40MA MCPH4 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB ~ 1.5dB @ 2GHz 增益:9dB ~ 13.5dB 功率 - 最大值:120mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 5mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:4-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3475-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.8A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):Not Recommended For New Designs FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 900mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:88pF @ 10V 功率 - 最大值:800mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:SC-70FL/MCPH3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3427-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:52 毫歐 @ 2A，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6nC @ 4V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3421-TL-E 功能描述:MOSFET N-CH 100V 0.8A MCPH3 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:800mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:890 毫歐 @ 400mA，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:165pF @ 20V 功率 - 最大值:900mW 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH3377-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A MCPH3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:83 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:375pF @ 10V 功率 - 最大值:1W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，扁平引線 供應(yīng)商器件封裝:3-MCPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 MCH6121-TL-H MCH6122-TL-E MCH6122-TL-H MCH6123-TL-E MCH6124-TL-E MCH6202-TL-E MCH6203-TL-E MCH6320-TL-E MCH6320-TL-W MCH6321-TL-W MCH6331-TL-E MCH6331-TL-H MCH6331-TL-W MCH6336-P-TL-E MCH6336-S-TL-E MCH6336-TL-H MCH6336-TL-W MCH6337-TL-E
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