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JAN2N5015

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  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯(lián)系人：丁皓鵬

    電話(huà)：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號(hào)南光捷佳大廈2331

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • MICROSEMI

  • 原廠(chǎng)原裝

  • 15+

  • -

  • 原裝正品，價(jià)格優(yōu)勢(shì)！

  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話(huà)：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • MOT

  • CAN3

  • 15+

  • -

  • 百分百原裝假一罰十

  • JAN2N5015
    JAN2N5015

    JAN2N5015

  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
    深圳市時(shí)興宇電子有限公司

    聯(lián)系人：彭先生

    電話(huà)：0755-830415598397218513430523058

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北都會(huì)大廈A座19樓19G

  • 8566

  • MOT

  • CAN

  • 15+

  • -

  • 絕對(duì)公司原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • Trans GP BJT NPN 0.2A 3-Pin TO-5
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • NPN TRANSISTOR - Bulk
JAN2N5015 技術(shù)參數(shù)
  • JAN2N5005 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5004 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5003 功能描述:TRANS PNP 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/535 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5002 功能描述:TRANS NPN 80V 5A TO59 制造商:microsemi ire division 系列:軍用，MIL-PRF-19500/534 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:1.5V @ 500mA，5A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2.5A，5V 功率 - 最大值:2W 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:TO-210AA，TO-59-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商器件封裝:TO-59 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N4957UB 功能描述:RF Transistor PNP 30V 30mA 200mW Surface Mount UB 制造商:microsemi ire division 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時(shí)的典型值）:3.5dB @ 450MHz 增益:25dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 5mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:30mA 工作溫度:-65°C ~ 200°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:3-SMD，無(wú)引線(xiàn) 供應(yīng)商器件封裝:UB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 JAN2N5157 JAN2N5237 JAN2N5237S JAN2N5238 JAN2N5238S JAN2N5302 JAN2N5339 JAN2N5415 JAN2N5415S JAN2N5416 JAN2N5416S JAN2N5416UA JAN2N5581 JAN2N5582 JAN2N5662 JAN2N5663 JAN2N5664 JAN2N5665
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