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    IXGC16N60B2

    配單專家企業(yè)名單
    • 型號(hào)
    • 供應(yīng)商
    • 數(shù)量
    • 廠商
    • 封裝
    • 批號(hào)
    • 價(jià)格
    • 說(shuō)明
    • 操作
    • IXGC16N60B2
      IXGC16N60B2

      IXGC16N60B2

    • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
      深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

      聯(lián)系人:何芝

      電話:19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

      地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

      資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

    • 2855

    • IXYS

    • ROHS

    • 1223+

    • -
    • 原裝正品,現(xiàn)貨庫(kù)存!400-800-03...

    • IXGC16N60B2D1
      IXGC16N60B2D1

      IXGC16N60B2D1

    • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
      北京首天偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道電子科技大廈C座23E

      資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

    • 5000

    • IXYS

    • 09+

    • -
    • 百分百原裝正品,質(zhì)量保障價(jià)格及優(yōu)

    • IXGC16N60B2
      IXGC16N60B2

      IXGC16N60B2

    • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
      北京元坤偉業(yè)科技有限公司

      聯(lián)系人:劉先生

      電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

      地址:北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

      資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

    • 5000

    • IXYS

    • 原廠封裝

    • 15+

    • -
    • 原裝正品,假一罰十

    • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共13條 
    • 1
    IXGC16N60B2 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
    • 功能描述
    • IGBT 晶體管 8 Amps 600V 2.3V Rds
    • RoHS
    • 制造商
    • Fairchild Semiconductor
    • 配置
    • 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
    • 650 V
    • 集電極—射極飽和電壓
    • 2.3 V
    • 柵極/發(fā)射極最大電壓
    • 20 V
    • 在25 C的連續(xù)集電極電流
    • 150 A
    • 柵極—射極漏泄電流
    • 400 nA
    • 功率耗散
    • 187 W
    • 最大工作溫度
    • 封裝 / 箱體
    • TO-247
    • 封裝
    • Tube
    IXGC16N60B2 技術(shù)參數(shù)
    • IXG611S1T/R 功能描述:IGBT 晶體管 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube IXG611S1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXG611P1 功能描述:IC DRIVER MOSF/IGBT 0.6A 8-PDIP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅(qū)動(dòng)器 - 外部開(kāi)關(guān) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 系列:- 配置:高端 輸入類型:非反相 延遲時(shí)間:200ns 電流 - 峰:250mA 配置數(shù):1 輸出數(shù):1 高端電壓 - 最大(自引導(dǎo)啟動(dòng)):600V 電源電壓:12 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-DIP 包裝:管件 其它名稱:*IR2127 IXF6401BEC7A1835148 功能描述:IC PROCESSOR BROADBAND 352BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 接口 - 電信 系列:- 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 06/Feb/2012 標(biāo)準(zhǔn)包裝:750 系列:* IXF611S1T/R 功能描述:功率驅(qū)動(dòng)器IC 0.6 Amps 35V 25 Rds RoHS:否 制造商:Micrel 產(chǎn)品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時(shí)間: 下降時(shí)間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXGF32N170 IXGF36N300 IXGH100N30C3 IXGH10N100 IXGH10N100A IXGH10N100AU1 IXGH10N100U1 IXGH10N170 IXGH10N170A IXGH10N300 IXGH120N30B3 IXGH120N30C3 IXGH12N100 IXGH12N120A2D1 IXGH12N120A3 IXGH12N60B IXGH12N60BD1 IXGH12N60C
    配單專家

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