CMUDM8005TR

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CMUDM8005TRPB-FREE
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯(lián)系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區(qū)中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
8660
Central Semi
SOT523
1728+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

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CMUDM8005TR 技術(shù)參數(shù)

CMUDM8005 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:360 毫歐 @ 350mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.2nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM8004 TR 功能描述:MOSFET P-CH 30V 450MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 430mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.88nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:55pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM8001 TR 功能描述:MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 3V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM7005 TR 功能描述:MOSFET N-CH 20V 650MA SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:650mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:230 毫歐 @ 600mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.58nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:100pF @ 16V 功率 - 最大值:300mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUDM7004 TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:450mA（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:460 毫歐 @ 200mA，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:0.79nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:45pF @ 25V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1 CMUSBAABL CMUSBAAEI CMUSBAAIG CMUSBAAIW CMUSBAAWH CMUSH05-4 TR CMUSH2-4 TR CMUSH2-4A TR CMUSH2-4S TR CMUT19 CMUT2222A BK CMUT2222A TR CMUT2907A BK CMUT2907A TR CMUT3904 BK CMUT3904 TR CMUT5087E TR CMUT5088E TR