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C2N

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  • C2N7002DW1T1G
    C2N7002DW1T1G

    C2N7002DW1T1G

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人：陳先生13360533550

    電話：0755-838679890755-82795565

    地址：深圳公司：深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 5800

  • ON/安森美

  • NA

  • 22+

  • -

  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • C2N3643
    C2N3643

    C2N3643

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 20000

  • 原廠品牌

  • 原廠標準封裝

  • 14+

  • -

  • 全新原裝，進口現(xiàn)貨，準時交貨，量大優(yōu)惠

  • C2N
    C2N

    C2N

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李燕兵

    電話：82525918

    地址：深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • N/A

  • SOT-89

  • 22+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨供應(yīng)

  • C2N
    C2N

    C2N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • KEC

  • SOT23

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨！

  • C2NB-30A
    C2NB-30A

    C2NB-30A

  • 深圳市深科創(chuàng)科技有限公司
    深圳市深科創(chuàng)科技有限公司

    聯(lián)系人：吳先生/吳小姐/朱先生

    電話：0755-832472900755-828652018324751083223957

    地址：深圳市福田區(qū)航都大廈17F1可提供13%增值稅發(fā)票

  • 7500

  • 中北創(chuàng)新

  • 2020+

  • -

  • 全新原裝現(xiàn)貨 渠道優(yōu)勢庫存 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共16條 
  • 1
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C2N 技術(shù)參數(shù)
  • C2M1000170J-TR 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7（直引線） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:800 C2M1000170J 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:C2M? 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.4 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 500μA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:200pF @ 1000V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7（直引線） 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標準包裝:50 C2M1000170D 功能描述:MOSFET N-CH 1700V 4.9A TO247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1700V（1.7kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:4.9A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.1 歐姆 @ 2A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.4V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:13nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:191pF @ 1000V 功率 - 最大值:69W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2M0280120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 10A TO-247-3 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:370 毫歐 @ 6A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 1.25mA（標準） 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20.4nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:259pF @ 1000V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2M0160120D 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 17.7A TO-247 制造商:cree/wolfspeed 系列:Z-FET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅 （SiC） 漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV） 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:17.7A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:196 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 500μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:32.6nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:527pF @ 800V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-247-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3 標準包裝:30 C2PXG-1418G C2PXG-1418M C2PXG-1436G C2PXG-1436M C2PXG-1606G C2PXG-1606M C2PXG-1618G C2PXG-1618M C2PXG-1636G C2PXG-1636M C2PXG-2406G C2PXG-2406M C2PXG-2418G C2PXG-2418M C2PXG-2436G C2PXG-2436M C2PXG-4006G C2PXG-4006M
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