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BUK9618-56

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BUK9618-56 技術參數
  • BUK9618-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2210pF @ 25V 功率 - 最大值:136W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 BUK96180-100A,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 11A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):619pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):54W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):173 毫歐 @ 5A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK9616-75B,118 功能描述:MOSFET N-CH 75V 67A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):67A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):35nC @ 5V Vgs(最大值):±15V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):4034pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):157W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK9616-55A,118 功能描述:MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK 制造商:nxp semiconductors 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):66A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):15 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):- 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3085pF @ 25V 功率 - 最大值:138W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:800 BUK9615-100E,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級,AEC-Q101,TrenchMOS? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):Digi-Key 停止供應 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):66A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):60nC @ 5V Vgs(最大值):±10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):6813pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):182W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 BUK9628-100A,118 BUK9628-55A,118 BUK9629-100B,118 BUK962R1-40E,118 BUK962R5-60E,118 BUK962R6-40E,118 BUK962R8-30B,118 BUK962R8-60E,118 BUK9635-100A,118 BUK9635-55,118 BUK9635-55A,118 BUK9637-100E,118 BUK963R1-40E,118 BUK963R2-40B,118 BUK963R3-60E,118 BUK9640-100A,118 BUK964R1-40E,118 BUK964R2-55B,118
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