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BSO180N10NS3G

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    BSO180N10NS3G

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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：李先生

    電話：13760200702

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道五和大道山海商業(yè)廣場C棟706

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  • BSO180N10NS3G
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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業(yè)執(zhí)照

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  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

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BSO180N10NS3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
BSO180N10NS3G 技術參數(shù)
  • BSO150N03MDGXUMA1 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 基本零件編號:BSO150N03 標準包裝:1 BSO150N03MD G 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:8A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO150N03 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 7.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:7.6A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 9.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 25μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:15nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1890pF @ 15V 功率 - 最大值:1.4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO130P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.2A（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:81nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3520pF @ 25V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商器件封裝:P-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO130P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 9.2A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:9.2A（Ta） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 140μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:81nC @ 10V Vgs（最大值）:±25V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3520pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:13 毫歐 @ 11.7A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 標準包裝:1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G BSO220N03MSGXUMA1 BSO300N03S BSO301SP H BSO301SPHXUMA1 BSO301SPNTMA1 BSO303P H BSO303PHXUMA1 BSO303PNTMA1
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