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BS2F7HZ7395

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人：唐先生

    電話(huà)：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

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  • 深圳市時(shí)興宇電子有限公司
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    聯(lián)系人：彭先生

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  • 制造商
  • Sharp Microelectronics Corporation
  • 功能描述
  • DIRECT CONVERSION TUNER W/ QPSK DEMOD - Bulk
BS2F7HZ7395 技術(shù)參數(shù)
  • BS2EP 功能描述:EXPLOSION PROOF ENCLOSURE KIT 制造商:omron automation and safety 系列:BeamSafe? II-EP 零件狀態(tài):有效 容器類(lèi)型:帶安裝法蘭的盒子 大小/尺寸:11.287" 長(zhǎng) x 7.787" 寬（286.70mm x 197.80mm） 高度:6.161"（156.50mm） 面積（L x W）:87.9"（567cm） 設(shè)計(jì):包含蓋 材料:金屬 - 鋁 顏色:自然色 厚度:- 特性:窗口 等級(jí):IP66，NEMA 4X 材料可燃性等級(jí):- 發(fā)貨信息:從 Digi-Key 運(yùn)送 重量:25 磅（11.3kg） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS2E-IC 功能描述:單板計(jì)算機(jī) BASIC STAMP RoHS:否 制造商:Ampro By ADLINK 外觀尺寸:EPIC 處理器類(lèi)型:Intel Atom D510 頻率:1.66 GHz 存儲(chǔ)容量:2 GB (max) 存儲(chǔ)類(lèi)型:DDR2, L2 Cache 接口類(lèi)型:Ethernet, PS/2, SATA, Serial, USB 工作電源電壓:5 V, 12 V 功耗:13 W 最大工作溫度:+ 70 C 尺寸:165.1 mm x 114.3 mm BS270-D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Ta） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:50pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:625mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 基本零件編號(hào):BS270 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS270_D74Z 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:625mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線(xiàn)） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 BS270 功能描述:MOSFET N-CH 60V 400MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:400mA（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 500mA，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:50pF @ 25V 功率 - 最大值:625mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)主體（!--TO-226AA） 供應(yīng)商器件封裝:TO-92-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 BS2P-SHF-1AA(LF)(SN) BS2PX24 BS2RC24 BS2SX-IC BS2T-HD BS2XC24 BS-3 BS-300.000MBB-T BS-300.000MBC-T BS-300.000MCB-T BS-300.000MCC-T BS-31-10 BS-31-10-NB BS-31-10-P BS-312.500MBC-T BS-312.500MCC-T BS-31-4S BS-31-4S-NB
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