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BC849BR

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • BC849BR
    BC849BR

    BC849BR

  • 深圳市深美諾電子科技有限公司
    深圳市深美諾電子科技有限公司

    聯(lián)系人:李燕兵

    電話:82525918

    地址:深圳市福田區(qū)華強北路上步工業(yè)區(qū)101棟5樓517-532室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • PHILIPS

  • SOT-23

  • 22+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨供應

  • BC849BR
    BC849BR

    BC849BR

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 1040

  • PHILIPS

  • SOT-23

  • 07+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • BC849BR
    BC849BR

    BC849BR

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • SOT-23

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現(xiàn)貨!

  • BC849BR
    BC849BR

    BC849BR

  • 深圳市澤芯微科技有限公司
    深圳市澤芯微科技有限公司

    聯(lián)系人:柯小姐

    電話:0755-8273028382732023

    地址:中航路新亞洲國利大廈A座24層12室

  • 1030

  • philips

  • sot-23

  • 07+

  • -
  • 進口原裝現(xiàn)貨,一定自己庫存

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
BC849BR PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
BC849BR 技術參數(shù)
  • BC849BMTF 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BC849BLT3G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10,000 BC849BLT3 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10,000 BC849BLT1G 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 BC849BLT1 功能描述:TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):600mV @ 5mA,100mA 電流 - 集電極截止(最大值):15nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):200 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:3,000 BC849CMTF BC849C-TP BC849CW RFG BC849CW,115 BC849CW,135 BC849CWE6327HTSA1 BC849CWH6327XTSA1 BC850AMTF BC850AW RFG BC850B,215 BC850B,235 BC850BE6327HTSA1 BC850BLT1 BC850BLT1G BC850BMTF BC850BW RFG BC850BW,115 BC850BW,135
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