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B82462G4223M000

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  • 深圳市華盛錦科技有限公司
    深圳市華盛錦科技有限公司

    聯(lián)系人：張先生/雷小姐

    電話：0755-83795896

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道賽格廣場55樓5566室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 68000

  • TDK

  • N/A最新

  • 21+原廠授權(quán)

  • -

  • ★原廠授權(quán)★價超代理★

  • B82462G4223M000
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  • 深圳市澳億芯電子科技有限公司
    深圳市澳億芯電子科技有限公司

    聯(lián)系人：廖R

    電話：13163738578

    地址：龍崗區(qū)坂田五和大道山海大廈c 棟707

  • 23

  • EPCOS

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  • -

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  • 深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司
    深圳市寶芯創(chuàng)電子有限公司

    聯(lián)系人：陳先生

    電話：0755-83228629

    地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1002號賽格廣場45層4503B★公司為一般納稅人，可開正規(guī)13%專

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 27500

  • EPCOS

  • SMD

  • 17+

  • -

  • ★電感就找寶芯創(chuàng)/最誠實的電感磁珠搬運工...

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
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B82462G4223M000 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • INDUCTOR 22UH 1.05A 20% FU
B82462G4223M000 技術(shù)參數(shù)
  • B82462G4223M 功能描述:22μH Shielded Wirewound Inductor 1.05A 150 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:22μH 容差:±20% 額定電流:1.05A 電流 - 飽和值:850mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:150 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4222M 功能描述:2.2μH Shielded Wirewound Inductor 2.55A 25 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:2.2μH 容差:±20% 額定電流:2.55A 電流 - 飽和值:2.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:25 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4154M 功能描述:150μH Shielded Wirewound Inductor 380mA 1.05 Ohm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:150μH 容差:±20% 額定電流:380mA 電流 - 飽和值:330mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:1.05 歐姆最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4153M 功能描述:15μH Shielded Wirewound Inductor 1.25A 97 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:15μH 容差:±20% 額定電流:1.25A 電流 - 飽和值:1.05A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:97 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4152M 功能描述:1.5μH Shielded Wirewound Inductor 3.1A 20 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82462G4 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:1.5μH 容差:±20% 額定電流:3.1A 電流 - 飽和值:3.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻（DCR）:20 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:AEC-Q200 工作溫度:-55°C ~ 150°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.248" 長 x 0.248" 寬（6.30mm x 6.30mm） 高度 - 安裝（最大值）:0.118"（3.00mm） 標準包裝:1 B82462G4684M B82462G4684M000 B82462X0004 B82462X00040000 B82462X004 B82462X4 B82464A2102M B82464A2103M B82464A2104K B82464A2152M B82464A2153K B82464A2154K B82464A2222M B82464A2223K B82464A2224K B82464A2332M B82464A2333K B82464A2334K
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