B656-30

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制造商
EDAL
制造商全稱
EDAL
功能描述
SILICON HIGH VOLTAGE RECTIFIER

B656-30 技術參數

B65623A1X 功能描述:Supplier Device Package P 41 x 25 制造商:epcos (tdk) 系列:B65623 零件狀態(tài):有效配件類型:安裝組件配套使用產品/相關產品:P 供應商器件封裝:P 41 x 25 標準包裝:50 B65623A0001X000 功能描述:MOUNTING ASSEMBLY P 41 X 25 制造商:epcos (tdk) 系列:B65623 零件狀態(tài):在售配件類型:安裝組件配套使用產品/相關產品:P 供應商器件封裝:P 41 x 25 標準包裝:50 B65621JR48 功能描述:FERRITE CORE P 8.4UH N48 制造商:epcos (tdk) 系列:B65621 零件狀態(tài):有效內核類型:P 電感因數（Al）:8.4μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1720 初始磁導率（μi）:- 材料:N48 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.264 有效長度（e） mm:60.4 有效面積（Ae）mm2:229 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:201 有效磁體體積（Ve） mm3:13832 表面:無涂層供應商器件封裝:P 41 x 25 高度:12.50mm 長度:- 寬度:- 直徑:41.00mm 標準包裝:50 B65621JR1 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件狀態(tài):有效標準包裝:50 B65621J630A48 功能描述:FERRITE CORE P 630NH N48 制造商:epcos (tdk) 系列:B65621 零件狀態(tài):有效內核類型:P 電感因數（Al）:630nH 容差:±3% 間隙:有缺口有效磁導率 (μe):129 初始磁導率（μi）:- 材料:N48 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.264 有效長度（e） mm:60.4 有效面積（Ae）mm2:229 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:201 有效磁體體積（Ve） mm3:13832 表面:無涂層供應商器件封裝:P 41 x 25 高度:12.50mm 長度:- 寬度:- 直徑:41.00mm 標準包裝:50 B65646A100A27 B65646A1600J027 B65646A1600J27 B65646A250A27 B65646A250A87 B65646A510A48 B65646A630A27 B65646AR27 B65646AR87 B65646AR97 B65647A2000X B65647B1014T1 B65651D0000R001 B65651D0000R033 B65651D0000R041 B65651D0000Y038 B65651D0160A041 B65651D0160A048